작성일 : 15-09-05 00:34
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9/3 목요일 강의에대해 질문있습니다.
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글쓴이 :
성홍제
 조회 : 930
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안녕하세요. 이번에 추가수강신청때 이 강의를 신청하여 첫수업을 목요일에 듣고 이제서야 유투브 강의를 보고나서 질문이 생겼습니다.
교수님께서 p-type 반도체에서 온도가 올라감에따라 p와 n의 변화에대한 그래프를 그려주셨는데 p는 항상 거의 일정하고 n은 기하급수적으로 증가하여 n이 p를 넘는 부분이 생긴다고 하셨습니다. 그런데 온도가 올라감에따라 Si에서 hole이 생기는만큼 자유전자가 생기는것인데 그러면 온도가 증가해서 n이 증가하는만큼 p도 똑같이 증가해서 n과 p의 차이는 일정해야하는것 아닌가요?
각각을 봤을때 p는 붕산(B) 때문에 생기는 hole이 기존 Si의 hole 보다 훨씬 커서 온도에따른 변동이 거의없고 n은 np=ni^2에 의해 매우 작아서 그만큼 증가율이 크다는건 이해가 되는데 그렇다고해서 n이 p를 추월할수 있는 부분이 생긴다는점이 이해가 안됩니다.
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