작성일 : 09-11-06 05:03
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어제 발표한 자료 업로드합니다.
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글쓴이 :
김재윤
 조회 : 1,650
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 프레젠테이션2.pptx (0byte) [13] DATE : 2009-11-06 05:03:04 |
| 프레젠테이션3.pptx (0byte) [12] DATE : 2009-11-06 05:03:04 |
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리뷰 때 틀린 내용을 발표한지라
pptx에 틀린 부분을 수정하려고 노력해보았지만, 막상 고쳐보려고 하니 수업시간에 하신 말씀을 제가 제대로 이해하지 못했다는 걸 알게 되었습니다. 나름대로 생각한 줄거리를 써보면 "Triode 영역 안에 VDS를 늘리는 상황에서 Source에 가까운 채널 부근은 VGS가 커서 Q가 크고(전자가 많고) (Q=CV에서 C가 일정) Drain에 가까운 채널 부근은 VGD가 작아서 Q가 작으니까(전자가 적고) Source쪽에는 다량의 전자, Drain쪽에는 VDS가 증가함에 따라 점점 적어지는 전자가 있으니 Drain 전류 증가율이 감소한다. " 그러니까... Drain 쪽에 carrier(전자)수가 감소하는 것이 Drain 전류가 포화되는 것과 어떻게 이어지는지 모르겠습니다. 그래서 잘못알고 있다가 잘 모르는 상태가 되어 고쳤다고 하기에는 조금 억지가 있는 상태가 되었네요. 프리젠테이션 2는 수정 전 파일이고 프리젠테이션 3은 수정을 시도한 파일입니다. 다들 수고하세요. 05 00 |
