작성일 : 09-11-06 11:07
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글쓴이 :
최우영
 조회 : 1,721
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Lect. 21, 22에서 MOSFET의 small-signal model에 대해서 배웠습니다. MOSFET의 small-signal model은 BJT에서와 마찬가지로 비선형 특성을 가지고 있는 MOSFET소자를 bias 주변에서 선형화한 model입니다. 이렇게 하는 이유는 선형 회로 해석이 비선형 회로보다 훨씬 쉽기 때문이죠.
MOSFET small signal model은 BJT small-signal model과 동일하게 source-drain 간에 dependent current source (gm-vgs)를 가지고 있습니다. 사실 이 부분이 transistor 특성 (controllable current source)을 잘 나타내는 부분이죠. Gate current는 0이므로, rpi와 같은 입력단 저항은 존재하지 않습니다. output 저항 ro은 BJT와 유사한 형태로 존재합니다.
개념적으로 MOSFET, BJT의 small-signal model은 유사하나, 이번에는 조금 더 자세한 small-signal model을 배웠습니다. body-effect, Cgs, Cgd 를 소개했고, 특히 Cgs, Cgd 등의 capacitor들은 소자의 frequency response 특성에 큰 영향을 미치는 요인임을 확인했습니다.
반도체 소자 (MOSFET, BJT)는 사실 꽤나 복잡한 구조를 가지고 있어서, 이를 수식적으로 modeling하기는 매우 힘들며 이런 수식적 모델을 이용한 회로설계는 불가능합니다. 정확한 모델을 위해서는 우리가 수업시간에 다루지 않았던 수 많은 model parameter가 필요하고, 이들의 종합적 영향은 computer simulation으로 해석할 수 밖에 없습니다.
이번 학기 두 번째 project는 PSPICE를 이용해 회로설계를 하게 됩니다. 다음 주 월요일 조교 시간에 PSPICE에 대한 설명을 할 예정이니, 꼭 참석하도록 하세요.
최우영
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