class > 2009_circuit_1 > 프로젝트 질문있습니다.



박영석 09-10-14 18:09 네 자동으로 active 영역에 들어가가 됩니다. Vce=0.4V 인 것과 Vbe=0.7V 인 것은 전혀 관련이 없는 것이라서..무엇을 물어보시는 건지 잘 모르겠군요 네 자동으로 active 영역에 들어가가 됩니다. Vce=0.4V 인 것과 Vbe=0.7V 인 것은 전혀 관련이 없는 것이라서..무엇을 물어보시는 건지 잘 모르겠군요



이병조 09-10-14 18:20 강의자료에보면...Vce=Vbe-Vbc라고적혀있는데..이는 Vce=Vbe+Vcb가 되고... Vce,sat가 0.3V이면 0.3V<=Vbe+Vcb가 되는데 여기서 Vbe=0.7V이므로.. Vcb>=-0.4가 되는건지 궁금해서 질문드렸습니다.. 제가 어디서 헷갈리고 있는건질 잘 모르겠네요. Vcb가 -즉, Vbc가 양수가 되어야 하는건지.. ppt에서는 음수가되어야한다고 했는데 무엇이 잘못된건가요? 강의자료에보면...Vce=Vbe-Vbc라고적혀있는데..이는 Vce=Vbe+Vcb가 되고... Vce,sat가 0.3V이면 0.3V<=Vbe+Vcb가 되는데 여기서 Vbe=0.7V이므로.. Vcb>=-0.4가 되는건지 궁금해서 질문드렸습니다.. 제가 어디서 헷갈리고 있는건질 잘 모르겠네요. Vcb가 -즉, Vbc가 양수가 되어야 하는건지.. ppt에서는 음수가되어야한다고 했는데 무엇이 잘못된건가요?



이병조 09-10-14 18:21 즉, Vb가 Vc보다 높은 voltage값을 가져도 되는지에 대한 질문입니다.. 답변부탁드리겠습니다~! 즉, Vb가 Vc보다 높은 voltage값을 가져도 되는지에 대한 질문입니다.. 답변부탁드리겠습니다~!



박영석 09-10-14 20:01 네, Vb 가 Vc 보다 약간 높은 voltage 를 가지더라도 BJT 는 active 영역에서 동작 합니다. 그렇기 때문에 Vce,sat=0.7V 가 아닌, Vce,sat=0.3V 입니다. 그 이유는 BJT가 silicon상에서 어떻게 만들어지는지를 확인해 보시면 되는데요. base 와 collector 사이에는 diode 가 존재하고, 그 diode 가 켜지냐 꺼지냐에 따라서 active 와 saturation 이 나뉘게 됩니다. 그런데, diode 가 켜지기 위해서는 일정 수준이상의 문턱전압이 필요하기 때문에, Vc 가 Vb 보다 약간 낮아도, BJT 는 active 영역에서 동작하게 됩니다. 네, Vb 가 Vc 보다 약간 높은 voltage 를 가지더라도 BJT 는 active 영역에서 동작 합니다. 그렇기 때문에 Vce,sat=0.7V 가 아닌, Vce,sat=0.3V 입니다. 그 이유는 BJT가 silicon상에서 어떻게 만들어지는지를 확인해 보시면 되는데요. base 와 collector 사이에는 diode 가 존재하고, 그 diode 가 켜지냐 꺼지냐에 따라서 active 와 saturation 이 나뉘게 됩니다. 그런데, diode 가 켜지기 위해서는 일정 수준이상의 문턱전압이 필요하기 때문에, Vc 가 Vb 보다 약간 낮아도, BJT 는 active 영역에서 동작하게 됩니다.